Número de pieza del fabricante | US1J-TP |
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Número de parte futuro | FT-US1J-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1J-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1J-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US1J-TP-FT |
SS12E-TP
Micro Commercial Co
ES1JE-TP
Micro Commercial Co
FS1GE-TP
Micro Commercial Co
FS1ME-TP
Micro Commercial Co
GS1GE-TP
Micro Commercial Co
GS1K-LTP
Micro Commercial Co
US1ME-TP
Micro Commercial Co
ES1A-TP
Micro Commercial Co
ES1B-TP
Micro Commercial Co
ES1D-TP
Micro Commercial Co
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
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5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel