casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / UPP1001/TR7
Número de pieza del fabricante | UPP1001/TR7 |
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Número de parte futuro | FT-UPP1001/TR7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWERMITE® |
UPP1001/TR7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 1.6pF @ 100V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 2.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | DO-216AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-216 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPP1001/TR7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UPP1001/TR7-FT |
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285B-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-285B-TR1G
Broadcom Limited
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel