casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / UPA2812T1L-E2-AT
Número de pieza del fabricante | UPA2812T1L-E2-AT |
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Número de parte futuro | FT-UPA2812T1L-E2-AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPA2812T1L-E2-AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3740pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HWSON (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA2812T1L-E2-AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UPA2812T1L-E2-AT-FT |
STD3155L104T4G
ON Semiconductor
STD3N65M6
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STD40P8F6AG
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STD5407NNT4G
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XCV1000E-8FG900C
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LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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