casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / UNR5113G0L
Número de pieza del fabricante | UNR5113G0L |
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Número de parte futuro | FT-UNR5113G0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR5113G0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 80MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-85 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMini3-F2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR5113G0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UNR5113G0L-FT |
DRC9115G0L
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DRC9123E0L
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XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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5SGSMD5H1F35C2LN
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XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
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Intel