casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / UNR421100A
Número de pieza del fabricante | UNR421100A |
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Número de parte futuro | FT-UNR421100A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR421100A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 3-SSIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | NS-B1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR421100A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UNR421100A-FT |
UNR521600L
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Microsemi Corporation
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APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
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EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C8LN
Intel