casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / UNR411E00A
Número de pieza del fabricante | UNR411E00A |
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Número de parte futuro | FT-UNR411E00A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR411E00A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 80MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 3-SSIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | NS-B1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR411E00A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UNR411E00A-FT |
UNR5212G0L
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UNR521300L
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XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
LFX125EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel