casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / UNR222600L
Número de pieza del fabricante | UNR222600L |
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Número de parte futuro | FT-UNR222600L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR222600L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 20V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini3-G1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR222600L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UNR222600L-FT |
MMUN2232LT1
ON Semiconductor
MMUN2233LT1
ON Semiconductor
MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA113EK,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
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M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
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EP3SL340F1760I4L
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5SGSMD5H2F35I3N
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XC4VLX160-10FFG1148I
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EPF10K30AQI208-3
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EPF8820AQC208-3
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