casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / ULN2004D1013TR
Número de pieza del fabricante | ULN2004D1013TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ULN2004D1013TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2004D1013TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potencia - max | - |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2004D1013TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ULN2004D1013TR-FT |
NSM4002MR6T1G
ON Semiconductor
BC807UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817UPNB6327XT
Infineon Technologies
BC846UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel