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Número de pieza del fabricante | UHE1C102MHD6TO |
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Número de parte futuro | FT-UHE1C102MHD6TO |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UHE |
UHE1C102MHD6TO Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 1000µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 16V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 10000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 1.088A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 1.45A @ 100kHz |
Impedancia | 49 mOhms |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.492" Dia (12.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.650" (16.50mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UHE1C102MHD6TO Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UHE1C102MHD6TO-FT |
UHE1J150MDD
Nichicon
UHE1H220MDD1TD
Nichicon
UHE1A101MDD
Nichicon
UHE1V330MDD1TD
Nichicon
UHE1V330MDD
Nichicon
UHE1J150MDD1TD
Nichicon
UHE1HR47MDD
Nichicon
UHE1C560MDD
Nichicon
UHE1E470MDD
Nichicon
UHE1A101MDD1TD
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation