casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / UGB1H3R3KHM1TO
Número de pieza del fabricante | UGB1H3R3KHM1TO |
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Número de parte futuro | FT-UGB1H3R3KHM1TO |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UGB |
UGB1H3R3KHM1TO Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 3.3µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Bi-Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | Audio |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | - |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 850mA @ 6kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.295" (7.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.630" Dia (16.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB1H3R3KHM1TO Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UGB1H3R3KHM1TO-FT |
UBT1C101MPD8TD
Nichicon
UBT1C221MPD8
Nichicon
UBT1C221MPD8TD
Nichicon
UBT1C331MPD8
Nichicon
UBT1C331MPD8TD
Nichicon
UBT1E101MPD8TA
Nichicon
UBT1E101MPD8TD
Nichicon
UBT1E221MPD8
Nichicon
UBT1E221MPD8TD
Nichicon
UBT1H100MPD8TA
Nichicon
A1010B-PQG100C
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR2H43I2
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3LG
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EPF81188ARC240-3
Intel