casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / UGB12HTHE3/81
Número de pieza del fabricante | UGB12HTHE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-UGB12HTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB12HTHE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 500V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 12A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.75V @ 12A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 500V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB12HTHE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UGB12HTHE3/81-FT |
MBRB1635HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel