casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / UG58GHB0G
Número de pieza del fabricante | UG58GHB0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-UG58GHB0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UG58GHB0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.1V @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 20ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG58GHB0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UG58GHB0G-FT |
SF41G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF41GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF42G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF42GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel