casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / UF3006-G
Número de pieza del fabricante | UF3006-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-UF3006-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UF3006-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF3006-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UF3006-G-FT |
SJPB-L6VR
Sanken
SJPD-D5
Sanken
SJPE-H3VL
Sanken
SJPE-H3VR
Sanken
SJPE-H4
Sanken
SJPE-H4VL
Sanken
SJPJ-D3
Sanken
SJPJ-D3VL
Sanken
SJPJ-H3
Sanken
SJPJ-H3VL
Sanken
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel