casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / UES1V4R7MDM1TD
Número de pieza del fabricante | UES1V4R7MDM1TD |
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Número de parte futuro | FT-UES1V4R7MDM1TD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UES |
UES1V4R7MDM1TD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 35V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Bi-Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | Audio |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | - |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.098" (2.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1V4R7MDM1TD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UES1V4R7MDM1TD-FT |
UFG1K221MHM
Nichicon
UFG1C102MHM
Nichicon
UFG1C471MPM1TD
Nichicon
UFG1J101MPM1TD
Nichicon
UFG1C471MPM
Nichicon
UFG1V221MPM
Nichicon
UFG2A470MPM
Nichicon
UFG1V221MPM1TD
Nichicon
UFG2A470MPM1TD
Nichicon
UFG1E331MPM
Nichicon
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8282AVTC100-3
Intel
5SGXEA3K1F40C1N
Intel
5SGXEA7K3F35I4N
Intel
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFX125EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA7U19C8N
Intel
10AX090H4F34E3SG
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel