casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / UES1V100MEM1TD
Número de pieza del fabricante | UES1V100MEM1TD |
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Número de parte futuro | FT-UES1V100MEM1TD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UES |
UES1V100MEM1TD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 10µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 35V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Bi-Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | Audio |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | - |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.098" (2.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1V100MEM1TD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UES1V100MEM1TD-FT |
UFG1H010MDM
Nichicon
UFG2A0R1MDM
Nichicon
UFG2AR47MDM
Nichicon
UFG1HR33MDM
Nichicon
UFG1C330MDM1TD
Nichicon
UFG1H100MDM1TD
Nichicon
UFG1H2R2MDM1TD
Nichicon
UFG2A010MDM1TD
Nichicon
UFG2AR47MDM1TD
Nichicon
UFG1A470MDM
Nichicon
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
5SGXMA7N3F40I3N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
10M16SCE144C7G
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
LFE2M70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP3C55F780C6N
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel