casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TWW3JR10E
Número de pieza del fabricante | TWW3JR10E |
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Número de parte futuro | FT-TWW3JR10E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWW |
TWW3JR10E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±400ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 275°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3JR10E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TWW3JR10E-FT |
WHE100FET
Ohmite
WHE15RFET
Ohmite
WHE1K0FET
Ohmite
WHE1R0FET
Ohmite
WHE250FET
Ohmite
WHE5R0FET
Ohmite
WHER50FET
Ohmite
WNE10KFET
Ohmite
WNE250FET
Ohmite
WNE560FET
Ohmite
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
APA450-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP1AGX20CF780I6
Intel