casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TWM3J4K3E
Número de pieza del fabricante | TWM3J4K3E |
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Número de parte futuro | FT-TWM3J4K3E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J4K3E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 4.3 kOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Metal Oxide Film |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±350ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 275°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J4K3E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TWM3J4K3E-FT |
TWW3J4R7
Ohmite
TWW3J5R6
Ohmite
TWW3J6R8
Ohmite
TWW3J7R5
Ohmite
TWW3J8R2
Ohmite
TWW3JR10
Ohmite
TWW3JR15
Ohmite
TWW3JR20
Ohmite
TWW3JR27
Ohmite
TWW3JR30
Ohmite
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel