casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TWM3J2K7E
Número de pieza del fabricante | TWM3J2K7E |
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Número de parte futuro | FT-TWM3J2K7E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J2K7E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 2.7 kOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Metal Oxide Film |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±350ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 275°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J2K7E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TWM3J2K7E-FT |
TWW3J20R
Ohmite
TWW3J27R
Ohmite
TWW3J2R0
Ohmite
TWW3J2R7
Ohmite
TWW3J30R
Ohmite
TWW3J33R
Ohmite
TWW3J39R
Ohmite
TWW3J3R0
Ohmite
TWW3J3R3
Ohmite
TWW3J3R9
Ohmite
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel