casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TWM3J200E
Número de pieza del fabricante | TWM3J200E |
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Número de parte futuro | FT-TWM3J200E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J200E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 200 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Metal Oxide Film |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±350ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 275°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J200E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TWM3J200E-FT |
TWW3J15R
Ohmite
TWW3J1R0
Ohmite
TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
TWW3J27R
Ohmite
TWW3J2R0
Ohmite
TWW3J2R7
Ohmite
TWW3J30R
Ohmite
TWW3J33R
Ohmite
TWW3J39R
Ohmite
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC5VLX330T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5SGXMA3H3F35C4N
Intel