casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TWM3J1K0E
Número de pieza del fabricante | TWM3J1K0E |
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Número de parte futuro | FT-TWM3J1K0E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J1K0E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 kOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Metal Oxide Film |
Caracteristicas | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±350ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 275°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J1K0E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TWM3J1K0E-FT |
TWW3JR15E
Ohmite
TWW3J10R
Ohmite
TWW3J15R
Ohmite
TWW3J1R0
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TWW3J30R
Ohmite
XC6SLX100-2FG484C
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LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E2LG
Intel