casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TT8U2TR
Número de pieza del fabricante | TT8U2TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TT8U2TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TT8U2TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 850pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSST |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TT8U2TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TT8U2TR-FT |
MCH3475-TL-W
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MCH3476-TL-W
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MCH3477-TL-E
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XCVU095-2FFVD1517I
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AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
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A42MX09-1VQ100
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10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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10AX066K1F35E1SG
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