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Rohm Semiconductor TT8U2TCR
- Número de pieza de MFG
- TT8U2TCR
- Cantidad disponible
- 35630 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.11656
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descripción
- - MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TT8U2TCR.pdf
TT8U2TCR Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TT8U2TCR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TT8U2TCR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| TT8U2TCR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (max) | 1.25W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSST |
| Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TT8U2TCR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TT8U2TCR-FT |
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