casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / TST40L200CW C0G
Número de pieza del fabricante | TST40L200CW C0G |
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Número de parte futuro | FT-TST40L200CW C0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TST40L200CW C0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 880mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TST40L200CW C0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TST40L200CW C0G-FT |
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS02(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS03(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel