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TSM900N10CH X0G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH X0G

Número de pieza de MFG
TSM900N10CH X0G
Cantidad disponible
46290 Piezas
Precio de referencia
USD 0.56
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Fecha de envío
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fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM900N10CH X0G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1480pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM900N10CH X0G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TSM900N10CH X0G-FT

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