casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM6N60CH C5G
Número de pieza del fabricante | TSM6N60CH C5G |
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Número de parte futuro | FT-TSM6N60CH C5G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM6N60CH C5G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1248pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 89W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 (IPAK) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM6N60CH C5G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM6N60CH C5G-FT |
TPN11006NL,LQ
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TPN13008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN14006NH,L1Q
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TPN1600ANH,L1Q
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TPN2R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN5900CNH,L1Q
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TPN6R003NL,LQ
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TPN8R903NL,LQ
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SSM6J511NU,LF
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel