casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM6N50CH C5G
Número de pieza del fabricante | TSM6N50CH C5G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TSM6N50CH C5G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM6N50CH C5G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 90W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 (IPAK) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM6N50CH C5G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM6N50CH C5G-FT |
TPN11003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN13008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1600ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel