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Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX RFG

Name: TSM650P02CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM650P02CX RFG
Price: 0.077184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (181 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM650P02CX RFG

Cantidad disponible: 94580 Piezas

Precio de referencia: USD 0.077184

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM650P02CX RFG.pdf

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TSM650P02CX RFG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM650P02CX RFG
Número de parte futuro	FT-TSM650P02CX RFG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM650P02CX RFG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	515pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM650P02CX RFG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM650P02CX RFG-FT

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