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Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7000KCT B0G

Name: TSM2N7000KCT B0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM2N7000KCT B0G
Price: 0.058792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (52 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM2N7000KCT B0G

Cantidad disponible: 64600 Piezas

Precio de referencia: USD 0.058792

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM2N7000KCT B0G.pdf

TSM2N7000KCT B0G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM2N7000KCT B0G
Número de parte futuro	FT-TSM2N7000KCT B0G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM2N7000KCT B0G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7.32pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92
Paquete / Caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM2N7000KCT B0G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM2N7000KCT B0G-FT

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