casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM2301CX RFG
Número de pieza del fabricante | TSM2301CX RFG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TSM2301CX RFG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM2301CX RFG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 447pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 900mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM2301CX RFG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM2301CX RFG-FT |
TSM10N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM85N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel