casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / TS10P06GHD2G
Número de pieza del fabricante | TS10P06GHD2G |
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Número de parte futuro | FT-TS10P06GHD2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10P06GHD2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, TS-6P |
Paquete del dispositivo del proveedor | TS-6P |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10P06GHD2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TS10P06GHD2G-FT |
GBL206 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL207 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL104GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
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5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LFE2M70SE-6FN900C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
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EP2SGX60DF780C3N
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