casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / TS10P06GHC2G
Número de pieza del fabricante | TS10P06GHC2G |
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Número de parte futuro | FT-TS10P06GHC2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10P06GHC2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, TS-6P |
Paquete del dispositivo del proveedor | TS-6P |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10P06GHC2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TS10P06GHC2G-FT |
GBL204 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL206 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL207 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL102GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel