casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / TS10K80HD3G
Número de pieza del fabricante | TS10K80HD3G |
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Número de parte futuro | FT-TS10K80HD3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TS10K80HD3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | TS4K |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS10K80HD3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TS10K80HD3G-FT |
3N247-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N248-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N248-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N248-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N248-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N249-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
3N250-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel