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Texas Instruments TPS1101DR

Name: TPS1101DR
Brand: Texas Instruments
SKU: TPS1101DR
Price: 0.77616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (126 reviews)

Número de pieza de MFG: TPS1101DR

Cantidad disponible: 61680 Piezas

Precio de referencia: USD 0.77616

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Texas Instruments

Breve descripción: - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPS1101DR.pdf

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TPS1101DR Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPS1101DR
Número de parte futuro	FT-TPS1101DR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TPS1101DR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	15V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11.25nC @ 10V
Vgs (Max)	+2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1101DR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPS1101DR-FT

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