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Texas Instruments TPS1101DG4

Número de pieza de MFG
TPS1101DG4
Cantidad disponible
48150 Piezas
Precio de referencia
USD 1.32
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TPS1101DG4
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TPS1101DG4 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 15V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V
Vgs (Max) +2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1101DG4 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TPS1101DG4-FT

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