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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R805PL,L1Q
Price: 0.32256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (74 reviews)

Número de pieza de MFG: TPN2R805PL,L1Q

Cantidad disponible: 71770 Piezas

Precio de referencia: USD 0.32256

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPN2R805PL,L1Q.pdf

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TPN2R805PL,L1Q Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPN2R805PL,L1Q
Número de parte futuro	FT-TPN2R805PL,L1Q
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TPN2R805PL,L1Q Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	45V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	139A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2R805PL,L1Q Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPN2R805PL,L1Q-FT

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