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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q
- Número de pieza de MFG
- TPN2R805PL,L1Q
- Cantidad disponible
- 71770 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.32256
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPN2R805PL,L1Q.pdf
TPN2R805PL,L1Q Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPN2R805PL,L1Q |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPN2R805PL,L1Q |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSIX-H |
| TPN2R805PL,L1Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 45V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 139A (Ta), 80A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 300µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN2R805PL,L1Q Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPN2R805PL,L1Q-FT |
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