casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPH3206LDGB
Número de pieza del fabricante | TPH3206LDGB |
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Número de parte futuro | FT-TPH3206LDGB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPH3206LDGB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 760pF @ 480V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 81W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PQFN (8x8) |
Paquete / Caja | 3-PowerDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206LDGB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPH3206LDGB-FT |
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