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TPH3206LDGB Image

Transphorm TPH3206LDGB

Número de pieza de MFG
TPH3206LDGB
Cantidad disponible
37240 Piezas
Precio de referencia
USD 8.64
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Fecha de envío
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fabricante
Transphorm
Breve descripción
- GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TPH3206LDGB Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 760pF @ 480V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PQFN (8x8)
Paquete / Caja 3-PowerDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH3206LDGB Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TPH3206LDGB-FT

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