casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD4E002DRL2
Número de pieza del fabricante | TPD4E002DRL2 |
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Número de parte futuro | FT-TPD4E002DRL2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD4E002DRL2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 4 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 3V |
Voltaje - Avería (Min) | 6.1V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | 35W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E002DRL2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD4E002DRL2-FT |
DF6D6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D7M1N,LF
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DF2S14P2CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6P2CTC,L3F
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DF2S6.8UFS,L3F
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DF2B6.8FS(TPL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8FS(TPL4,D)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8MFS,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M2SC
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8M2SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel