casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD3E001DRYRG4
Número de pieza del fabricante | TPD3E001DRYRG4 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TPD3E001DRYRG4 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD3E001DRYRG4 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Steering (Rail to Rail) |
Canales unidireccionales | 3 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 11V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | 90W |
Protección de línea eléctrica | Yes |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SON (1.45x1) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD3E001DRYRG4 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD3E001DRYRG4-FT |
DF10G7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B18FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B29FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B36FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B20M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6USL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel