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TPD3215M Image

Transphorm TPD3215M

Número de pieza de MFG
TPD3215M
Cantidad disponible
77290 Piezas
Precio de referencia
USD 143.064
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Fecha de envío
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fabricante
Transphorm
Breve descripción
- GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-TPD3215M
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TPD3215M Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2260pF @ 100V
Potencia - max 470W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja Module
Paquete del dispositivo del proveedor Module
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPD3215M Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TPD3215M-FT

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