casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD1E6B06DPLR
Número de pieza del fabricante | TPD1E6B06DPLR |
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Número de parte futuro | FT-TPD1E6B06DPLR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E6B06DPLR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 6V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 14V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 50W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0201 (0603 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-X2SON (0.6x0.3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E6B06DPLR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD1E6B06DPLR-FT |
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
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10AX048E3F29E2LG
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EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel