casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD1E1B04DPYR
Número de pieza del fabricante | TPD1E1B04DPYR |
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Número de parte futuro | FT-TPD1E1B04DPYR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E1B04DPYR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 3.6V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 6.4V (Typ) |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 8.5V (Typ) |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 6.3A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 50W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | 1pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0402 (1006 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-X1SON (1x.60) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E1B04DPYR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD1E1B04DPYR-FT |
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8UFU,LF
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XC7S50-1FTGB196C
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A42MX36-1PQG240M
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A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
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5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
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EP4SE230F29C4
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EP4SGX180DF29C2XN
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EP4CE30F19A7N
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