casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD1E10B09QDPYRQ1
Número de pieza del fabricante | TPD1E10B09QDPYRQ1 |
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Número de parte futuro | FT-TPD1E10B09QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5.5V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 6V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 14V (Typ) |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 90W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | 12pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0402 (1006 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-X1SON (1x.60) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD1E10B09QDPYRQ1-FT |
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel