casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / TPD1E10B09DPYR
Número de pieza del fabricante | TPD1E10B09DPYR |
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Número de parte futuro | FT-TPD1E10B09DPYR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E10B09DPYR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 9V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 9.5V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 20V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 4.5A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 90W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0402 (1006 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-X1SON (1x.60) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09DPYR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPD1E10B09DPYR-FT |
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4013XL-1HT144C
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LFEC1E-3T100C
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XC7A100T-1FGG676I
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A54SX16A-2PQ208
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A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C2LN
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5SGXEA3K2F35C2N
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EP3SE80F1152I4N
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LFE3-95EA-7LFN484I
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