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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L)

Name: TPCF8A01(TE85L)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCF8A01(TE85L)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (331 reviews)

Número de pieza de MFG: TPCF8A01(TE85L)

Cantidad disponible: 20430 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIII MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPCF8A01(TE85L).pdf

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TPCF8A01(TE85L) Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPCF8A01(TE85L)
Número de parte futuro	FT-TPCF8A01(TE85L)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
TPCF8A01(TE85L) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	590pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	330mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Caja	8-SMD, Flat Lead
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8A01(TE85L) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPCF8A01(TE85L)-FT

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