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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H(TE12LQM

Name: TPCC8A01-H(TE12LQM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8A01-H(TE12LQM
Availability: InStock
Rating: 4.6 (330 reviews)

Número de pieza de MFG: TPCC8A01-H(TE12LQM

Cantidad disponible: 10430 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSV-H MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

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Número de pieza del fabricante	TPCC8A01-H(TE12LQM
Número de parte futuro	FT-TPCC8A01-H(TE12LQM
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSV-H
TPCC8A01-H(TE12LQM Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1900pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8A01-H(TE12LQM Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPCC8A01-H(TE12LQM-FT

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