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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H,LQ(S

Name: TPCC8065-H,LQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8065-H,LQ(S
Availability: InStock
Rating: 4.5 (467 reviews)

Número de pieza de MFG: TPCC8065-H,LQ(S

Cantidad disponible: 57580 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVII-H MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPCC8065-H,LQ(S.pdf

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Número de pieza del fabricante	TPCC8065-H,LQ(S
Número de parte futuro	FT-TPCC8065-H,LQ(S
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVII-H
TPCC8065-H,LQ(S Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1350pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8065-H,LQ(S Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPCC8065-H,LQ(S-FT

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