casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPCC8006-H(TE12LQM
Número de pieza del fabricante | TPCC8006-H(TE12LQM |
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Número de parte futuro | FT-TPCC8006-H(TE12LQM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI-H |
TPCC8006-H(TE12LQM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCC8006-H(TE12LQM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPCC8006-H(TE12LQM-FT |
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