casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / TPC8208(TE12L,Q)
Número de pieza del fabricante | TPC8208(TE12L,Q) |
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Número de parte futuro | FT-TPC8208(TE12L,Q) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPC8208(TE12L,Q) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 780pF @ 10V |
Potencia - max | 450mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8208(TE12L,Q) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPC8208(TE12L,Q)-FT |
SI4913DY-T1-GE3
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SI4914BDY-T1-E3
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