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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110(TE12L,Q,M)

Name: TPC8110(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8110(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (668 reviews)

Número de pieza de MFG: TPC8110(TE12L,Q,M)

Cantidad disponible: 64320 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIII MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPC8110(TE12L,Q,M).pdf

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Número de pieza del fabricante	TPC8110(TE12L,Q,M)
Número de parte futuro	FT-TPC8110(TE12L,Q,M)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
TPC8110(TE12L,Q,M) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2180pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8110(TE12L,Q,M) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPC8110(TE12L,Q,M)-FT

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