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TP65H050WS Image

Transphorm TP65H050WS

Número de pieza de MFG
TP65H050WS
Cantidad disponible
94160 Piezas
Precio de referencia
USD 12.952
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Fecha de envío
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fabricante
Transphorm
Breve descripción
- GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TP65H050WS
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TP65H050WS Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1000pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TP65H050WS Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TP65H050WS-FT

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